热搜词

未来10年内3D NAND堆叠层数将达1000层!SSD将被彻底革命!

5月15日,在上海举办的GSA MEMERY+论坛上,三星表示,未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年

5月15日,在上海举行的GSA MEMERY+论坛上,三星表明,未来5年内,3D NAND堆叠层数将到达500层,10年内将可到达1000层。


跟着5G及物联网技能的开展,数据正呈现出爆破式的增加,由此关于存储的需求也是越来越大。各大存储厂商也是在不断的研制更大容量的3D NAND。


现在全球首要的3D NAND Flash 大厂,包含三星、SK 海力士、东芝、美光等,都现已量产了64层堆叠的3D NAND Flash,不少现已开端更高的72层、96层乃至128层堆叠的3D NAND Flash上取得了发展。


自上一年以来,三星除了扩展64层3D NAND出产比重,还在2018年抢先量产了着选用96层堆叠的三星第五代V-NAND闪存芯片,并于三星韩国华城、平泽厂大规模量产。大幅抢先竞争对手。与此同时,三星128层3D NAND研制也在加快。


而为了进一步稳固其抢先的优势,三星正在加快进步3D NAND的产能,并加码更高容量的3D NAND的研制。据韩国产业链的消息人士泄漏,三星上一年出资在NAND Flash闪存上的本钱开销估计是64亿美元,2019年更是会进步到90亿美元。而这些投入首先是用于进步3D闪存的产能,包含坐落平泽市和我国西安市的工厂,其次便是更先进的3D NAND技能的研制。


在现在摩尔定律行将开展到极限的情况下,3D堆叠技能成为了NAND Flash在坚持本钱有限增加的情况下大幅提高存储容量的要害。那么跟着3D堆叠的层数越高,技能难度也将会越高,未来是否会遇到大的瓶颈?


对此,三星在GSA MEMERY+论坛上表明达观。三星泄漏将有望在本年量产128层3D NAND,而且猜测在未来5年内,3D NAND堆叠层数将到达500层,10年内将可到达1000层。


1000层堆叠的3D NAND是什么概念?现在东芝、西数及三星的64层堆叠的3D NAND最高现已能够做到512Gbit中心容量(64GB)。另据业界专家通知芯智讯,128层堆叠的3D NAND,最高能够做到2Tbits的中心容量,也便是256GB容量。假如堆叠层数打破1000层,则意味着单die的中心容量乃至有或许到达2TB。这的确有点吓人!


要知道现在SSD硬盘上通常是由4颗NAND芯片组成的,而一旦500层乃至1000层堆叠的3D NAND的推出,则意味着SSD将会被完全革新。


修改:芯智讯-浪客剑


声明: 该文观点仅代表专栏作者本人,来客新闻网仅提供信息存储空间服务!
赞 | 0

热门标签